Herzogenrath, 1. April 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert seine G10-AsP-Anlage an Nokia. Mit der G10-AsP kann Nokia 6-Zoll-Wafer mit Indiumphosphid (InP) herstellen, was einen bedeutenden Meilenstein in der Entwicklung von Photonic Integrated Circuits (PICs) darstellt.

Photonisch integrierte Schaltkreise (engl. Photonic Integrated Circuits, kurz PICs) sind für die heutigen Megatrends wie Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation, 5G, Sensorik und KI unerlässlich. Der globale Markt für PICs wird in den nächsten Jahren erwartungsgemäß erheblich wachsen: Der Markt, der im Jahr 2023 auf rund 12 Mrd. USD geschätzt wurde, wird bis 2031 voraussichtlich 41 Mrd. USD erreichen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von etwa 16 % entspricht.^[1]

Seit der Einführung der ersten großformatigen integrierten photonischen Schaltkreise ist Nokia mit seiner PIC-basierten kohärenten optischen Technologie branchenführend und liefert kontinuierlich bessere Lösungen. Durch die Nutzung von leistungsstarkem Indiumphosphid (InP) integrieren die PICs von Nokia eine Vielzahl optischer Funktionen auf einem einzigen Chip, wodurch Kosten, Platzbedarf und Stromverbrauch reduziert werden, während Leistung und Zuverlässigkeit verbessert werden.

AIXTRONs G10-AsP-Anlage zeichnet sich durch ein präzises und gleichmäßiges Prozessverhalten aus, die PICs im Gegensatz zu herkömmlichen Transceivern benötigen. Dies konnte insbesondere auf 6-Zoll-InP-Wafern gezeigt werden. Dank eines innovativen Injektordesigns und einer fortschrittlichen Temperaturregelung bietet die Anlage eine bis zu viermal bessere Gleichmäßigkeit auf dem Wafer für kritische Schichten im Vergleich zur vorherigen Anlagengeneration. In Kombination mit dem In-Situ-Cleaning können diese neuen Homogenitätsniveaus konsistent reproduziert werden, ohne dass ein regelmäßiger Austausch der Hardware oder eine Kalibrierung zwischen den verschiedenen Wachstumsschritten der komplexen Schaltungen erforderlich sind. Die automatisierte Waferbeladung durch das Cassette-to-Cassette (C2C) Wafer Handling gewährleistet eine besonders effiziente Bedienung der MOCVD-Anlage.

„Wir freuen uns, mit unserer G10-AsP-Anlage Nokias kontinuierliche Innovationen im PIC-Bereich zu unterstützen. Die Möglichkeit, 6-Zoll-InP-Wafer zu produzieren, wird die Produktions- und Technologiekapazitäten von Nokia deutlich verbessern und die Einführung optischer Technologien der nächsten Generation vorantreiben“, sagte Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE. 

Steve Stockman, Leiter von Nokias InP-basierter PIC-Produktion, fügte hinzu: „Der Erwerb von AIXTRONs hochmoderner G10-AsP ist eine strategische Investition in unsere Produktionskapazitäten. Mit dieser fortschrittlichen Technologie können wir die wachsende Nachfrage nach hochleistungsfähigen photonisch integrierten Schaltkreisen bedienen und unsere Führungsposition in der Branche ausbauen.“ 

Der Übergang zu 6-Zoll-InP-Wafern stellt einen bedeutenden Fortschritt für die Branche der photonischen integrierten Schaltkreise dar. Größere Waferdurchmesser ermöglichen höhere Produktionsvolumina und geringere Stückkosten bei gleichzeitigem Zugang zu modernster Fertigungstechnologie. Diese Entwicklung ist besonders wichtig für stark nachgefragte Sektoren wie Telekommunikation, die Automobilindustrie und Rechenzentren, in denen die Datenübertragung mit hohen Frequenzen und hoher Bandbreite entscheidend ist.

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

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^[1] Laut eines Berichts von Market and Data.